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当两层以反平行方式堆叠时，项保供实现了六边形堆叠(H堆叠)双层TMD，恢复了全局反演对称性(图1a)。措施实验得到的ΔVP随各材料dB的变化曲线如图4a所示。
本工作表明，安全电阻峰的移动是由R层叠双层TMD极化引起的额外载流子密度引起的。由于预先存在的畴壁运动引起的铁电反转导致了相对较小的矫顽场，电网电保多步反转是由各畴壁的独立运动诱导的。R叠层双层TMDs中稳健的铁电性不仅极大地扩展了超薄二维铁电体的家族，项保供而且为研究铁电性与TMDs丰富的物理性质之间的相互作用开辟了可能，项保供具体如下：第一，由于半导体TMDs是通过门电掺杂的，本工作可以得到铁电半导体，其中电子的导通和关断是由极化方向调控。
图2 R-堆叠双层TMD器件的滞后现象 ©2022SpringerNature电场对极化的依赖性为了进一步确定滞回现象的铁电反转起源，措施继续测量了器件WSe2 d1的电阻随顶栅和底栅电压的变化。两个电阻峰的出现可以用两个畴的共存来解释，安全每个峰对应每个畴的构型。
R层叠双层结构TMDs的铁电滞回性能在室温下具有良好的稳定性，电网电保室温下的反转操作显示了其在非易失性存储器件中的潜在应用。
本工作在缓慢向前或向后改变底栅的同时，项保供反复扫描顶栅，项保供如图3a、b中白色箭头所示，观察到石墨烯电荷中和点电阻峰对应的对角线特征，当底栅向后扫描时，在VB/dB=-0.28 V nm-1处，对角线从左向右突然平行移动(图3a)，同样，在VB/dB=+0.37Vnm-1处，正向扫描时，从右向左平行移动(图3b)。充足的睡眠是国际社会公认的三项健康标准之一，措施良好的睡眠有助于调节身体机能、措施增强免疫力、促进新陈代谢、维持神经系统的正常功能，其重要性不得而知。
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